| Marca | Vishay |
| Producto | IRF9Z14PBF |
| Código interno | IMP967670 |
| Peso | 1 |
| Especificación técnica | MOSFET P-Chan 60 V, 6,7 amperios Atributo del producto Valor del atributo Seleccione el atributo Fabricante: Vishay Categoría del producto: MOSFET RoHS: Detalles Tecnología: Si Estilo de montaje: Through Hole Paquete/caja: TO-220AB-3 Polaridad del transistor: canal P Número de canales: 1 Channel Vds - Tensión de ruptura de la fuente de drenaje: 60 V Id - Corriente continua de salida: 6.7 A Rds On - Resistencia de la fuente de drenaje: 500 mOhms Vgs - Tensión de la fuente de rejilla: - 20 V, + 20 V Vgs th - Tensión de salida de la fuente de alimentación: 4 V Qg - Carga de rejilla: 12 nV Temperatura de funcionamiento mínima: - 55 °C Temperatura de funcionamiento máx.: + 175 C Pd - Disipación de energía: 43 W Modo canal: Mejora Serie: IRF9Z Acondicionamiento: Tubo Marca: Vishay Semiconductors Configuración: Individual Tiempo de descenso: 31 ns Altura: 15.49 mm Longitud: 10.41 mm Tipo de producto: MOSFET Tiempo de montaje: 63 ns 1000 Subcategoría: MOSFET Tipo de transistor: 1 canal P Tipo de retraso de desactivación: 10 ns Plazo de activación estándar: 11 ns Ancho: 4.7 mm Correspondencia para el artículo n°: IRF9Z14PBF-BE3 Peso de la unidad: 2 g |
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